Cuando los sensores de un caza alertan al piloto sobre un misil que se aproxima, o cuando el comandante de un tanque detecta un dron cercano, o cuando un satélite capta señales de movimientos hostiles en tierra, la efectividad de la respuesta depende cada vez más de unos pequeños cristales: el Nitruro de Galio (GaN).
Este compuesto, conocido en la industria por su nomenclatura química, es esencial para la innovación en firmas de alta tecnología de la defensa. El GaN es fundamental para el desarrollo del escudo antiaéreo europeo y para optimizar el rendimiento de los sistemas de armas modernos. Aunque menos conocido que la pólvora, el GaN se ha convertido en un elemento crucial en la defensa actual.
Aplicaciones Clave del GaN en la Defensa
El GaN es vital para la “electrónica de alta velocidad” que demandan las Fuerzas Armadas, especialmente en tres áreas críticas: la defensa de buques de la Armada, el programa Halcón para modernizar la flota de cazas Eurofighter españoles, y la planificación de la Fuerza 35 para un Ejército de Tierra renovado y digitalizado.
En el contexto europeo, que busca una mayor autonomía estratégica, solo existen tres instalaciones capaces de producir semiconductores con GaN. La primera, operada por Thales Aerospace, se encuentra en Ulm, Alemania. La segunda está en Tiburtina, Roma, controlada por Leonardo. La tercera, ubicada en Vigo, España, cuenta con la participación mayoritaria de Indra, la principal tecnológica española de defensa, proveedora de radares para la OTAN y sistemas de control aéreo civil en Europa.
La Apuesta por Galicia
En junio, Indra anunció la adquisición del 37% de la start-up gallega SPARC. Esta negociación se llevó a cabo con discreción, dada la importancia estratégica de la industria en tiempos de rearme. Fuentes de Defensa confirman que esta decisión fue influenciada por asesores del ministerio, quienes han destacado la importancia de la fotónica para lograr la autonomía tecnológica.
La autonomía defensiva depende de sistemas de radiofrecuencia más potentes y sostenibles, y SPARC tiene la capacidad de fabricar semiconductores fotónicos y para radiofrecuencia. El Ministerio de Defensa ha seguido de cerca el proyecto de SPARC, liderado por Francisco Díaz Otero, profesor de la Escola de Enxeñaría de Telecomunicación de Vigo, que planea construir una planta para la fabricación de obleas para chips con una plantilla de 200 trabajadores. Se espera que en 2027 comiencen a producir en serie semiconductores basados en galio y nitrógeno, así como en tecnologías GaAas e InP, que aumentarán la capacidad y velocidad de carga de baterías en dispositivos como teléfonos móviles, un sector donde el silicio podría ser reemplazado.
Indra está particularmente interesada en las aplicaciones del GaN en radiofrecuencia, que son esenciales para mejorar la distancia y precisión de los radares que exporta. En el ámbito militar, existe una constante competencia entre la potencia de los proyectiles y la resistencia de los blindajes, así como entre la invisibilidad del atacante y la capacidad de detección de los radares de defensa.
La Necesidad de Autonomía Estratégica
José Miguel Pascual, director de centros de innovación de Indra, subraya que “si no hay GaN en Europa, no hay autonomía estratégica”. La detección de amenazas con baja sección radar requiere radares avanzados, y la transmisión de radiofrecuencia con alta potencia exige un compuesto que soporte altas temperaturas con baja huella y alta capacidad de transmisión.
El GaN permite transmitir con la luz y mejora el rendimiento de los sistemas que deben transmitir grandes cantidades de información a alta velocidad en el campo de batalla. Este compuesto es clave para mejorar la detección radar de amenazas, aumentando la sensibilidad y el alcance de los radares para identificar misiles, aviones o drones, y para que los sistemas de guerra electrónica neutralicen a distancia los robots enemigos. Además, será fundamental en el desarrollo de futuras armas de energía dirigida.
Sin embargo, el GaN es un recurso limitado y controlado por pocos actores. El galio, derivado de la explotación de bauxita, es producido en un 90% por China. Pekín está imponiendo restricciones de acceso al GaN a Europa, mientras que los proyectos mineros europeos para este producto enfrentan controversias y litigios.
“Tenemos la ambición y la oportunidad. Ahora España puede optar a estar en la primera división en este tipo de tecnología”, afirma el directivo de Indra, reconociendo que otros países comenzaron a invertir antes. Hasta ahora, el club de productores de GaN estaba limitado a Estados Unidos, China, Alemania, Italia, Corea del Sur, Taiwán y Japón.
Aunque no hay información pública sobre la capacidad de Rusia en este campo, la ofensiva rusa contra Ucrania ha permitido a los ingenieros occidentales evaluar el rendimiento de los componentes de sensores de radares, armas y sistemas de guerra electrónica en condiciones extremas, lo que ha acelerado la demanda de GaN.
Fuente original: ver aquí